НОВОСТИПолумостовой модуль на карбидо-кремниевых транзисторах
28 июля 2020
Полумостовой модуль SiC MOSFET семейства XM3
Компания Wolfspeed/Cree разработала полумостовой модуль содержащий два N-канальных карбидо-кремниевых транзистора с применением технологии третьего поколения. По сравнению со стандартным модулем типоразмера 62 мм, семейство XM3 имеет вдвое меньший объем и вес, повышенную удельную мощность, сниженную паразитную индуктивность и оптимальную конструкцию для расположения силовых шин, сохраняя при этом преимущества технологии SiC MOSFET.
Оптимизированный корпус SiC XM3 обеспечивает непрерывную работу при температуре перехода 175 °С. Высоконадежная подложка из нитрида кремния (Si3N4) обеспечивает механическую прочность в экстремальных условиях.
Выбрать оптимальную модель поможет приведенная на рис. 1 зависимость выходного тока от частоты коммутации.
Рис.1 - Зависимость выходного тока от частоты коммутации
Силовые модули XM3 найдут применение для построения высокоэффективных электроприводов, источников бесперебойного питания, зарядных устройств для электротранспорта, интеллектуальных сетей распределенной генерации электроэнергии.
Особенности:
Высокая удельная мощность;
Конструкция с малой паразитной индуктивностью: 6.7 нГн;