НОВОСТИОбновленный SiC MOSFET транзистор 1700 В поколения Gen2 от AMG Power
12 декабря 2023
AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением -5/+18 В – A2G100N1700MT4.
В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS -5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии.
Основные параметры A2G100N1700MT4:
напряжение сток-исток: 1700 В
ток (при 25°C): 100 A
Rds(On): 25 мОм
управляющее напряжение затвор-исток: -5/+18 В
тип корпуса: TO-247-4
суммарный заряд затвора: 168 нКл
максимальная температура перехода: 175 °C
выходная ёмкость: 198 пФ
рассеиваемая мощность: 484 Вт
Применение A2G100N1700MT4:
тяговые преобразователи электромобилей
высоковольтные DC/DC преобразователи
импульсные источники питания
инверторы солнечных батарей
зарядные устройства электромобилей
Преимущества транзистора A2G100N1700MT4:
повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
позволяет работать на высокой частоте переключения
улучшает плотность мощности на уровне системы
уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение