НОВОСТИSiC MOSFET 1200 В от Global Power Technology
4 октября 2023
Компания Global Power Technology выпустила SiC МОП-транзистор 1200 В 80 мОм 42,9 А в корпусе TO-247-4 – G1M080120N. Компания Global Power Technology является производителем широкой линейки диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC) и IGBT транзисторов.
Основные параметры G1M080120N:
напряжение сток-исток: 1200 В
ток (при 25°C): 42,9 A
Rds(On): 80 мОм
напряжение затвор-исток: -3/+20 В
тип корпуса: TO-247-4
суммарный заряд затвора: 86 нКл
максимальная температура перехода: 175 °C
выходная ёмкость: 141 пФ
рассеиваемая мощность: 247 Вт
Применение транзисторов:
зарядные устройства электромобилей
инверторы солнечных батарей
импульсные источники питания
управление приводом
ИБП
Преимущества G1M080120N:
повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
позволяет работать на высокой частоте переключения
улучшает плотность мощности на уровне системы
уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение