#fff
#000
ГЛАВНАЯ
ПРОДУКЦИЯ
ЗАКАЗЧИКИ
НОВОСТИ
КОНТАКТЫ
НОВОСТИ
SiC MOSFET 1700 В третьего поколения Gen3 от AMG Power
21 июня 2023
AMG Power анонсировала SiC MOSFET транзистор нового поколения Gen3 1700 В 750 мОм 5 А в корпусе TO-263-7 с управляющим напряжением -5/+15 В – AMG5N1700MT7.
©AMG Power
Основные параметры SiC AMG5N1700MT7:
напряжение сток-исток: 1700 В
ток (при 25°C): 5 A
Rds(On): 750 мОм
напряжение затвор-исток: -5/+15 В
тип корпуса: TO-263-7
суммарный заряд затвора: 11 нКл
максимальная температура перехода: 150 °C
выходная емкость: 12 пФ
рассеиваемая мощность: 60 Вт
Применение транзистора AMG5N1700MT7:
преобразователи собственных нужд электротранспорта
импульсные источники питания
Преимущества AMG5N1700MT7:
повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
позволяет работать на высокой частоте переключения
улучшает плотность мощности на уровне системы
уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
удовлетворяют требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC)
Источник
ЗАО «Рассекреченные технологии». Тел./факс (495) 956-28-71. Email: info@rasstech.ru