НОВОСТИSiC MOSFET транзисторы 1200 В 80 мОм от Yangjie
29 августа 2022
Компания Yangjie анонсировала выпуск SiC МОП транзисторов собственной разработки с напряжением пробоя 1200 В и сопротивлением открытого канала 80 мОм.
В последние годы рынок силовых инверторов вступил в период интенсивного роста, и спрос на MOSFET SiC быстро увеличился. При совместном применении SiC-диодов и SiC MOSFET рабочая частота системы может быть увеличена для увеличения КПД и уменьшения размера преобразователя, снижения тепловых потерь и увеличения надежности и долговечности.
Особенности продукта:
высокая термостойкость, рабочая температура 175°C
униполярное устройство, высокая скорость переключения, низкие потери, подходит для высоковольтных и высокочастотных приложений
благодаря использованию передового процесса утончения, SiC MOSFET имеет превосходные характеристики электрического сопротивления, снижая потери энергии устройства в работе
типы корпуса изделия – TO-247-3L, TO-247-4L и другие
прошли строгие отраслевые сертификаты надежности, включая испытания HTRB, HTGB и HV-H3TRB