НОВОСТИСиловые IGBT транзисторы до 1200 В и до 75 А от Yangjie Technology
28 июля 2022
Компания Yangjie Technology (Китай) анонсировала выпуск силовых IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер от 600 до 1200 В и диапазоном токов от 10 А до 75 А.