НОВОСТИКарбидокремниевые транзисторы с каскодной топологией
18 ноября 2021
Серия транзисторов 4 поколения UJ4C/SC компании UnitedSiC, основанная на уникальной конфигурации с применением SiC FET, рассчитана на напряжение исток-сток 750 В и доступна в вариантах сопротивления открытого канала от 6 мОм до 60 мОм. Благодаря комбинации кремниевого низковольтного MOSFET во входном каскаде и высоковольтного SiC JFET на выходе в каскодном включении (рис.1) удалось получить транзистор со стандартными управляющими напряжениями и встроенным антипараллельным диодом.
Приборы обеспечивают сниженные потери проводимости и повышенный КПД при более высокой скорости, улучшая при этом общую экономическую эффективность. UJ4C/SC могут безопасно управляться драйверами со стандартным напряжением от 0 В до 15 В (рис. 2). Высокое пороговое напряжение 5 В обеспечивает защиту от ложного срабатывания при высоких уровнях электромагнитных наводок. Как и предыдущие поколения, эти транзисторы могут работать со всеми типичными сигналами управления для Si IGBT, Si MOSFET и SiC MOSFET. Также предусмотрена встроенная защита затвора от электростатических разрядов. Все устройства имеют автомобильную квалификацию AEC-Q101.